casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / GDZ6V2B-HE3-08
codice articolo del costruttore | GDZ6V2B-HE3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-GDZ6V2B-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ6V2B-HE3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 3V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ6V2B-HE3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDZ6V2B-HE3-08-FT |
GDZ2V4B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-2VQG80
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CSG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N3F45C3
Intel
LFE2M20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C3
Intel