casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / GDZ2V7B-HE3-18
codice articolo del costruttore | GDZ2V7B-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-GDZ2V7B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ2V7B-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 2.7V |
Tolleranza | ±4% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 110 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ2V7B-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDZ2V7B-HE3-18-FT |
GDZ11B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ11B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ12B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ12B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ12B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ12B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-1QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
EP4S100G3F45I2N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760I
Xilinx Inc.
XC5VLX330T-2FF1738C
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676T2
Microsemi Corporation
5AGXBB5D4F35C4N
Intel
EPF10K50SQC208-1X
Intel