casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GDP12S060A
codice articolo del costruttore | GDP12S060A |
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Numero di parte futuro | FT-GDP12S060A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GDP12S060A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 12A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 487pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 135°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP12S060A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDP12S060A-FT |
DGS4-025A
IXYS
DHG10I1800PA
IXYS
DMA10I1600PA
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DNA30E2200PA
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DPF30I300PA
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DSEP15-03A
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DSEP8-02A
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DSS10-0045A
IXYS
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel