casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GDP08S120A
codice articolo del costruttore | GDP08S120A |
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Numero di parte futuro | FT-GDP08S120A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GDP08S120A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 477pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 135°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP08S120A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GDP08S120A-FT |
DGS20-025A
IXYS
DGS4-025A
IXYS
DHG10I1800PA
IXYS
DMA10I1600PA
IXYS
DNA30E2200PA
IXYS
DPF30I300PA
IXYS
DSEP15-03A
IXYS
DSEP29-03A
IXYS
DSEP8-02A
IXYS
DSEP8-03A
IXYS
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel