casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / GC10MPS12-252
codice articolo del costruttore | GC10MPS12-252 |
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Numero di parte futuro | FT-GC10MPS12-252 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GC10MPS12-252 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 660pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GC10MPS12-252 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GC10MPS12-252-FT |
IDH04SG60CXKSA1
Infineon Technologies
IDH05G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDH05S120AKSA1
Infineon Technologies
IDH05S60CAKSA1
Infineon Technologies
IDH05SG60CXKSA1
Infineon Technologies
IDH06G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDH06S60CAKSA1
Infineon Technologies
IDH06SG60CXKSA1
Infineon Technologies
IDH08G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDH08S120AKSA1
Infineon Technologies
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.