casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU8K-5400M3/51
codice articolo del costruttore | GBU8K-5400M3/51 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GBU8K-5400M3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU8K-5400M3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.9A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 8A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU8K-5400M3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU8K-5400M3/51-FT |
GBU4JL-5300M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4JL-5303E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4JL-5303M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4JL-5707E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4JL-5707M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4JL-5708E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4JL-5708M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4JL-6088E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4JL-6088M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4JL-6088M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA600-FG484A
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
LCMXO256C-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50QC208-3
Intel
EPF6016AQC208-2
Intel
EP20K1000CF33C9ES
Intel