casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU4JL-5708E3/51
codice articolo del costruttore | GBU4JL-5708E3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-GBU4JL-5708E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU4JL-5708E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU4JL-5708E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU4JL-5708E3/51-FT |
F475R07W2H3B51BOMA1
Infineon Technologies
FBS10-12SC
IXYS
FS3L30R07W2H3FB11BPSA1
Infineon Technologies
FS3L50R07W2H3FB11BOMA1
Infineon Technologies
G2SB60L-5700E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5700E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5751E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5751M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5752E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5753E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel