casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU6JL-5305E3/51
codice articolo del costruttore | GBU6JL-5305E3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-GBU6JL-5305E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU6JL-5305E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6JL-5305E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU6JL-5305E3/51-FT |
G3SBA60L-5708E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5708M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6000E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6000M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6088E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6088M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6841E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6841M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80L-6000E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80L-6000M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC672-3
Intel
10M50DAF484C6GES
Intel
5SEE9F45C2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
EP4SE360F35I4
Intel
XC4VSX55-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation