casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / G3SBA60L-5708M3/51
codice articolo del costruttore | G3SBA60L-5708M3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-G3SBA60L-5708M3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
G3SBA60L-5708M3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G3SBA60L-5708M3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | G3SBA60L-5708M3/51-FT |
CBR1F-D060S
Central Semiconductor Corp
CBR1F-D060S TR13
Central Semiconductor Corp
CBR1F-D080
Central Semiconductor Corp
CBR1F-D100
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D020S H
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D020S TR13 H
Central Semiconductor Corp
CBR2-010
Central Semiconductor Corp
CBR2-020
Central Semiconductor Corp
CBR2-040
Central Semiconductor Corp
CBR2-080
Central Semiconductor Corp
LCMXO2-256HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V2-CSG81
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9D6F27C7N
Intel
5AGZME7K2F40I3LN
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FFG901C
Xilinx Inc.
A40MX04-1PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation