casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU610GTB
codice articolo del costruttore | GBU610GTB |
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Numero di parte futuro | FT-GBU610GTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU610GTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU610GTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU610GTB-FT |
GBU1004 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1004HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1005HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1006HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1007HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L05HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L06HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU401 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU401HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA600-FG484A
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
LCMXO256C-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50QC208-3
Intel
EPF6016AQC208-2
Intel
EP20K1000CF33C9ES
Intel