casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU1007HD2G
codice articolo del costruttore | GBU1007HD2G |
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Numero di parte futuro | FT-GBU1007HD2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GBU1007HD2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1007HD2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU1007HD2G-FT |
SBS24 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS24HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS25 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS25HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS26 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS26HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS26HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS34 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS34HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS36 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A100T-1FG676I
Xilinx Inc.
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3DQI
Microchip Technology
10M40DAF256I7G
Intel
5SGSMD4E3H29C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C1N
Intel
LFEC33E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EQC208-3
Intel