casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU1007HD2G
codice articolo del costruttore | GBU1007HD2G |
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Numero di parte futuro | FT-GBU1007HD2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GBU1007HD2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1007HD2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU1007HD2G-FT |
SBS24 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS24HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS25 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS25HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS26 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS26HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS26HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS34 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS34HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS36 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel