casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU601TB
codice articolo del costruttore | GBU601TB |
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Numero di parte futuro | FT-GBU601TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU601TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU601TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU601TB-FT |
UR8KB60 C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UR8KB80 C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UR4KB100-B C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UR4KB60-B C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UR4KB80-B C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BF3510TV
STMicroelectronics
MB10FTR
SMC Diode Solutions
KMB210STR
SMC Diode Solutions
KMB215STR
SMC Diode Solutions
KMB220STR
SMC Diode Solutions
LFXP2-8E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
EP4SGX360NF45I4
Intel
A42MX16-1TQG176
Microsemi Corporation
EPF10K10AQI208-3
Intel