casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / UR8KB80 C2G
codice articolo del costruttore | UR8KB80 C2G |
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Numero di parte futuro | FT-UR8KB80 C2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UR8KB80 C2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 8A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3K |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UR8KB80 C2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UR8KB80 C2G-FT |
SBS36HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS10 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS10HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15J RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15JHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15LJ RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15M RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15MHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS2 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS20M RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel