casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU601GTB
codice articolo del costruttore | GBU601GTB |
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Numero di parte futuro | FT-GBU601GTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU601GTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU601GTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU601GTB-FT |
UR8KB100 C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UR8KB60 C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UR8KB80 C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UR4KB100-B C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UR4KB60-B C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UR4KB80-B C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BF3510TV
STMicroelectronics
MB10FTR
SMC Diode Solutions
KMB210STR
SMC Diode Solutions
KMB215STR
SMC Diode Solutions
LFEC3E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-L2FFVE1517E
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256
Microsemi Corporation
10M16DCF484A7G
Intel
5SGXMB5R3F40I3N
Intel
5SGTMC5K2F40I2N
Intel
5SEE9H40I2N
Intel
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP20K100EBC356-1
Intel