casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / F475R07W2H3B51BOMA1
codice articolo del costruttore | F475R07W2H3B51BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-F475R07W2H3B51BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F475R07W2H3B51BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | - |
Tecnologia | - |
Voltage - Peak Reverse (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F475R07W2H3B51BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F475R07W2H3B51BOMA1-FT |
BR2504W-G
Comchip Technology
BR2510W-G
Comchip Technology
BR35005W-G
Comchip Technology
BR3504W-G
Comchip Technology
BR3510W-G
Comchip Technology
BR50005W-G
Comchip Technology
BR5010W-G
Comchip Technology
BR50504-G
Comchip Technology
BR50504W-G
Comchip Technology
BW511FS-YE
Sensata-Crydom
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel