casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / F475R07W2H3B51BOMA1
codice articolo del costruttore | F475R07W2H3B51BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-F475R07W2H3B51BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F475R07W2H3B51BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | - |
Tecnologia | - |
Voltage - Peak Reverse (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F475R07W2H3B51BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | F475R07W2H3B51BOMA1-FT |
BR2504W-G
Comchip Technology
BR2510W-G
Comchip Technology
BR35005W-G
Comchip Technology
BR3504W-G
Comchip Technology
BR3510W-G
Comchip Technology
BR50005W-G
Comchip Technology
BR5010W-G
Comchip Technology
BR50504-G
Comchip Technology
BR50504W-G
Comchip Technology
BW511FS-YE
Sensata-Crydom
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel