casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU4J-BP
codice articolo del costruttore | GBU4J-BP |
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Numero di parte futuro | FT-GBU4J-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU4J-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU4J-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU4J-BP-FT |
KBPC5001W
GeneSiC Semiconductor
KBPC5002W
GeneSiC Semiconductor
KBPC5004W
GeneSiC Semiconductor
KBPC5006W
GeneSiC Semiconductor
KBPC5008W
GeneSiC Semiconductor
KBPC5010W
GeneSiC Semiconductor
KBL410-G
Comchip Technology
KBL404-G
Comchip Technology
KBL408-G
Comchip Technology
KBL4005-G
Comchip Technology
XC3S50-4PQG208I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XCKU060-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29C1N
Intel
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10CX150YF780I6G
Intel
10CL120YF780C8G
Intel