casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU402TB
codice articolo del costruttore | GBU402TB |
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Numero di parte futuro | FT-GBU402TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU402TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU402TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU402TB-FT |
GBU604 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU604HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU606HD2G
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UR4KB80 C2G
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UG3KB60GTB
SMC Diode Solutions
UR3KB80 C2G
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UR8KB100 C2G
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UR8KB60 C2G
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UR8KB80 C2G
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A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45C2N
Intel
5SGXEBBR3H43I3LN
Intel
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31C5N
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
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EP20K100EBC356-3
Intel
EP4SGX530HH35C2
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