casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU401TB
codice articolo del costruttore | GBU401TB |
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Numero di parte futuro | FT-GBU401TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU401TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU401TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU401TB-FT |
GBU603 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU603HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU604 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU604HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU606HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UR4KB80 C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG3KB60GTB
SMC Diode Solutions
UR3KB80 C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UR8KB100 C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA600-FG484A
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
LCMXO256C-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50QC208-3
Intel
EPF6016AQC208-2
Intel
EP20K1000CF33C9ES
Intel