casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU603 D2G
codice articolo del costruttore | GBU603 D2G |
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Numero di parte futuro | FT-GBU603 D2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU603 D2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU603 D2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU603 D2G-FT |
EABS1D REG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1G REG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1J REG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS24 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS24HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS25 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS25HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS26 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS34 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBS34HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel