casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU10G-BP
codice articolo del costruttore | GBU10G-BP |
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Numero di parte futuro | FT-GBU10G-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU10G-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU10G-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU10G-BP-FT |
CBR10-J100
Central Semiconductor Corp
CMFBR-6F BK
Central Semiconductor Corp
CMFBR-6F TR
Central Semiconductor Corp
CD2320-B11000
Bourns Inc.
CD2320-B1400
Bourns Inc.
CD2320-B1600
Bourns Inc.
VS-UFH60BA65
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-KBPC102
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90MT100KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-90MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10CX220YU484I5G
Intel
LFE2M50E-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation