casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC5010T
codice articolo del costruttore | GBPC5010T |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC5010T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC5010T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 25A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC5010T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC5010T-FT |
GBPC3502TA
SMC Diode Solutions
GBPC3502WTA
SMC Diode Solutions
GBPC3504TA
SMC Diode Solutions
GBPC3504WTA
SMC Diode Solutions
GBPC3508TA
SMC Diode Solutions
GBPC3508WTA
SMC Diode Solutions
MB05FTR
SMC Diode Solutions
MB05STR
SMC Diode Solutions
MB1FTR
SMC Diode Solutions
MB1STR
SMC Diode Solutions
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1AGX50CF484C6
Intel
10CL006ZU256I8G
Intel
5SGSMD6K3F40C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FF665I
Xilinx Inc.
10AX066H3F34I3SGES
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel