casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBPC3508-E4/51
codice articolo del costruttore | GBPC3508-E4/51 |
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Numero di parte futuro | FT-GBPC3508-E4/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC3508-E4/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, GBPC |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC3508-E4/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBPC3508-E4/51-FT |
G3SBA20L-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20L-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20L-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20L-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68I
Microsemi Corporation
EP2S60F672I4N
Intel
5SGXEA4K3F40I3N
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
XC5VSX35T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I3G
Intel