casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / G3SBA60-E3/51
codice articolo del costruttore | G3SBA60-E3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-G3SBA60-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
G3SBA60-E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G3SBA60-E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | G3SBA60-E3/51-FT |
GBU8D-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4G-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4K-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4J-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6M-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8K-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4D-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4J-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel