casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CDTO269-BR1190L
codice articolo del costruttore | CDTO269-BR1190L |
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Numero di parte futuro | FT-CDTO269-BR1190L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDTO269-BR1190L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 190V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 190V |
temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-269AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDTO269-BR1190L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDTO269-BR1190L-FT |
DF1510ST-G
Comchip Technology
DF2005S-G
Comchip Technology
DF2005ST-G
Comchip Technology
DF201S-G
Comchip Technology
DF201ST-G
Comchip Technology
DF202S-G
Comchip Technology
DF208S-G
Comchip Technology
DF208ST-G
Comchip Technology
GBU2510-G
Comchip Technology
GBU1004-G
Comchip Technology
LCMXO2-2000ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I3N
Intel
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
EP20K100EFI144-2X
Intel
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation