casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU602-G
codice articolo del costruttore | GBU602-G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GBU602-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU602-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU602-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU602-G-FT |
CDBHM1100L-HF
Comchip Technology
BR5010L-G
Comchip Technology
BR5010-G
Comchip Technology
BR1010SG-G
Comchip Technology
BR1006SG-G
Comchip Technology
BR10005SG-G
Comchip Technology
BR1002SG-G
Comchip Technology
BR1008SG-G
Comchip Technology
KBPC3510-G
Comchip Technology
KBPC5006-G
Comchip Technology
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel