casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU602-G
codice articolo del costruttore | GBU602-G |
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Numero di parte futuro | FT-GBU602-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU602-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU602-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU602-G-FT |
CDBHM1100L-HF
Comchip Technology
BR5010L-G
Comchip Technology
BR5010-G
Comchip Technology
BR1010SG-G
Comchip Technology
BR1006SG-G
Comchip Technology
BR10005SG-G
Comchip Technology
BR1002SG-G
Comchip Technology
BR1008SG-G
Comchip Technology
KBPC3510-G
Comchip Technology
KBPC5006-G
Comchip Technology
EPF10K50ETC144-2
Intel
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFI484-2
Intel
XC7K410T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45E2LG
Intel
EP20K1000EBC652-1X
Intel