casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ1504TB
codice articolo del costruttore | GBJ1504TB |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ1504TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ1504TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 7.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1504TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ1504TB-FT |
GBU807 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1006 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU2505 D2
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU606 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1007 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L05 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU15L06 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200E-7FG456C
Xilinx Inc.
10M08SCE144I7G
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
A40MX02-1PL44M
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FFG900I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29E1HG
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel