casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / GB2X100MPS12-227
codice articolo del costruttore | GB2X100MPS12-227 |
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Numero di parte futuro | FT-GB2X100MPS12-227 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GB2X100MPS12-227 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 185A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 100A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 80µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB2X100MPS12-227 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GB2X100MPS12-227-FT |
MBR40060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40080CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR500100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR500100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR500150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR500150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR500200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR500200CTR
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel