casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRH120150R
codice articolo del costruttore | MBRH120150R |
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Numero di parte futuro | FT-MBRH120150R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRH120150R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 120A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 120A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-67 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-67 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRH120150R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRH120150R-FT |
IDW40E65D1FKSA1
Infineon Technologies
IDW100E60FKSA1
Infineon Technologies
IDW30E65D1FKSA1
Infineon Technologies
IDW30G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDW10G65C5FKSA1
Infineon Technologies
IDW10S120FKSA1
Infineon Technologies
IDW12G65C5FKSA1
Infineon Technologies
IDW16G65C5FKSA1
Infineon Technologies
IDW20G65C5FKSA1
Infineon Technologies
IDW30G65C5FKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel