casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU4J-E3/51
codice articolo del costruttore | GBU4J-E3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-GBU4J-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU4J-E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU4J-E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU4J-E3/51-FT |
KBU6G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU8M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU4A-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU4M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU6A-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU6D-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU6G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU6J-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU6K-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
KBU6M-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT6005A-2AI
Microchip Technology
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
EP1SGX25CF672I6N
Intel
10CL016ZF484I8G
Intel
5SGSMD4E3H29I4N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29I8L
Intel