casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FZ1200R45HL3BPSA1
codice articolo del costruttore | FZ1200R45HL3BPSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FZ1200R45HL3BPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FZ1200R45HL3BPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single Switch |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4500V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1200A |
Potenza - Max | 15000W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 280nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1200R45HL3BPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FZ1200R45HL3BPSA1-FT |
FS15R06VL4B2BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06XE3BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06XL4BOMA1
Infineon Technologies
FS15R12VT3BOMA1
Infineon Technologies
FS15R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FS200R07A1E3BOSA1
Infineon Technologies
FS200R12A1T4H5BOMA1
Infineon Technologies
FS200R12KT4RPBPSA1
Infineon Technologies
FS200R12PT4BOSA1
Infineon Technologies
FS200R12PT4PBOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel