casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FW276-TL-2H
codice articolo del costruttore | FW276-TL-2H |
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Numero di parte futuro | FT-FW276-TL-2H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FW276-TL-2H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.1 Ohm @ 350mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 55pF @ 20V |
Potenza - Max | 1.6W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FW276-TL-2H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FW276-TL-2H-FT |
FC6943010R
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XC7K70T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
Intel