casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / FUE30-12N1
codice articolo del costruttore | FUE30-12N1 |
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Numero di parte futuro | FT-FUE30-12N1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FUE30-12N1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.37V @ 10A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | i4-Pac™-5 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS i4-PAC™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FUE30-12N1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FUE30-12N1-FT |
2KBP10-BP
Micro Commercial Co
2KBP08-BP
Micro Commercial Co
2KBP04-BP
Micro Commercial Co
2KBP06-BP
Micro Commercial Co
VBO52-08NO7
IXYS
VBO52-12NO7
IXYS
VBO52-16NO7
IXYS
VBO52-18NO7
IXYS
VBO72-08NO7
IXYS
VBO72-12NO7
IXYS
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
EP20K400FC672-3
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2L
Intel
XC7K410T-1FFG900I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation
EPF10K10LC84-3
Intel
EP20K160EBC356-1N
Intel