casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / FT93C66A-USR-B
codice articolo del costruttore | FT93C66A-USR-B |
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Numero di parte futuro | FT-FT93C66A-USR-B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FT93C66A-USR-B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 4Kb (512 x 8, 256 x 16) |
Frequenza di clock | 2MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT93C66A-USR-B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FT93C66A-USR-B-FT |
GD25Q40CEJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D05CKIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel