casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25WD10CEIGR
codice articolo del costruttore | GD25WD10CEIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25WD10CEIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25WD10CEIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-USON (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25WD10CEIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25WD10CEIGR-FT |
IDT71016S12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71T016SA12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71T016SA15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71T016SA15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71T016SA20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71T016SA20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416S20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416S20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel