casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / FT25C64A-USR-T
codice articolo del costruttore | FT25C64A-USR-T |
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Numero di parte futuro | FT-FT25C64A-USR-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FT25C64A-USR-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT25C64A-USR-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FT25C64A-USR-T-FT |
GD25VQ40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD20CUIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LD80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CEJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel