casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25LD10CEIGR
codice articolo del costruttore | GD25LD10CEIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25LD10CEIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25LD10CEIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | 50MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55µs, 6ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Dual I/O |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-USON (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25LD10CEIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25LD10CEIGR-FT |
71V016SA12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12PHG/3247
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416YS10PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416YS15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71016S12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71016S12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc