casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / FT24C64A-UNR-T
codice articolo del costruttore | FT24C64A-UNR-T |
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Numero di parte futuro | FT-FT24C64A-UNR-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FT24C64A-UNR-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | 800kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 700ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C64A-UNR-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FT24C64A-UNR-T-FT |
GD25D10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel