casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FST8320M
codice articolo del costruttore | FST8320M |
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Numero di parte futuro | FT-FST8320M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FST8320M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 80A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 80A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.5mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D61-3M |
Pacchetto dispositivo fornitore | D61-3M |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FST8320M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FST8320M-FT |
MBRF50080
GeneSiC Semiconductor
MBRF50080R
GeneSiC Semiconductor
MBRF600100
GeneSiC Semiconductor
MBRF600100R
GeneSiC Semiconductor
MBRF600150
GeneSiC Semiconductor
MBRF600150R
GeneSiC Semiconductor
MBRF60020
GeneSiC Semiconductor
MBRF600200
GeneSiC Semiconductor
MBRF600200R
GeneSiC Semiconductor
MBRF60020R
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XC5204-6TQ144C
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A3P600-1FGG484
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A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
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LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel