casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRF600100R
codice articolo del costruttore | MBRF600100R |
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Numero di parte futuro | FT-MBRF600100R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRF600100R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 250A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-244AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-244AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF600100R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRF600100R-FT |
MBRF120150
GeneSiC Semiconductor
MBRF120150R
GeneSiC Semiconductor
MBRF12020
GeneSiC Semiconductor
MBRF120200
GeneSiC Semiconductor
MBRF120200R
GeneSiC Semiconductor
MBRF12020R
GeneSiC Semiconductor
MBRF12030
GeneSiC Semiconductor
MBRF12030R
GeneSiC Semiconductor
MBRF12035
GeneSiC Semiconductor
MBRF12035R
GeneSiC Semiconductor
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel