casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / FST80100A
codice articolo del costruttore | FST80100A |
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Numero di parte futuro | FT-FST80100A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FST80100A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 40A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 40A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Screw Mount |
Pacchetto / caso | TO-249AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-249 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FST80100A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FST80100A-FT |
APT2X30DC120J
Microsemi Corporation
APT2X30DC60J
Microsemi Corporation
APT2X31DC120J
Microsemi Corporation
APT2X31DC60J
Microsemi Corporation
APT2X40DC120J
Microsemi Corporation
APT2X40DC60J
Microsemi Corporation
APT2X50DC120J
Microsemi Corporation
APT2X51DC60J
Microsemi Corporation
APT2X60D20J
Microsemi Corporation
APT2X60D30J
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel