casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / APT2X30DC60J
codice articolo del costruttore | APT2X30DC60J |
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Numero di parte futuro | FT-APT2X30DC60J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT2X30DC60J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 30A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 600µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT2X30DC60J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT2X30DC60J-FT |
UFT20020
Microsemi Corporation
UFT14020
Microsemi Corporation
UFT12520
Microsemi Corporation
APT60D60LCTG
Microsemi Corporation
APT100S20LCTG
Microsemi Corporation
APT60D40LCTG
Microsemi Corporation
APT60D100LCTG
Microsemi Corporation
APT60DQ100LCTG
Microsemi Corporation
APT60D20LCTG
Microsemi Corporation
APT60D30LCTG
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel