casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS75R12KE3BOSA1
codice articolo del costruttore | FS75R12KE3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS75R12KE3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS75R12KE3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 105A |
Potenza - Max | 350W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS75R12KE3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS75R12KE3BOSA1-FT |
APT50GF60JU3
Microsemi Corporation
APT50GT120JRDQ2
Microsemi Corporation
APT50GT120JU2
Microsemi Corporation
APT50GT120JU3
Microsemi Corporation
APT60GF60JU2
Microsemi Corporation
APT60GF60JU3
Microsemi Corporation
APT60GT60JR
Microsemi Corporation
APT75GN120J
Microsemi Corporation
APT75GN120JDQ3G
Microsemi Corporation
MG1250H-XN2MM
Littelfuse Inc.
AGL030V5-QNG68I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
EP1K100FC256-3N
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2N
Intel