casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS3L50R07W2H3B11BPSA1
codice articolo del costruttore | FS3L50R07W2H3B11BPSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS3L50R07W2H3B11BPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EasyPACK™ 2B |
FS3L50R07W2H3B11BPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 75A |
Potenza - Max | 215W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS3L50R07W2H3B11BPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS3L50R07W2H3B11BPSA1-FT |
FP15R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06KL4BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FP20R06YE3B4BOMA1
Infineon Technologies
FP25R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
FP25R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
FP30R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation