casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FR307G B0G
codice articolo del costruttore | FR307G B0G |
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Numero di parte futuro | FT-FR307G B0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FR307G B0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FR307G B0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FR307G B0G-FT |
SR1203 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1204 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1204HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR302 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR303 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR306 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR309 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR310 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR310 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR315HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel