casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N3766R
codice articolo del costruttore | 1N3766R |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-1N3766R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3766R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3766R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3766R-FT |
1N6638US
Microsemi Corporation
1N6639US
Microsemi Corporation
1N6640
Microsemi Corporation
1N6641
Microsemi Corporation
1N6641US
Microsemi Corporation
1N6642
Microsemi Corporation
1N6643
Microsemi Corporation
AIDW10S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW12S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW16S65C5XKSA1
Infineon Technologies
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel