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ON Semiconductor FQU13N06LTU-WS

Name: FQU13N06LTU-WS
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQU13N06LTU-WS
Price: 0.88 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (345 reviews)

Numero parte MFG: FQU13N06LTU-WS

quantità disponibile: 14340 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.88

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: QFET® MOSFET N-CH 60V 11A IPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FQU13N06LTU-WS.pdf

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FQU13N06LTU-WS specificazioni

codice articolo del costruttore	FQU13N06LTU-WS
Numero di parte futuro	FT-FQU13N06LTU-WS
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQU13N06LTU-WS Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-PAK
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQU13N06LTU-WS Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FQU13N06LTU-WS-FT

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