casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQU13N06LTU-WS
codice articolo del costruttore | FQU13N06LTU-WS |
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Numero di parte futuro | FT-FQU13N06LTU-WS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQU13N06LTU-WS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQU13N06LTU-WS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQU13N06LTU-WS-FT |
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