casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FQS4900TF
codice articolo del costruttore | FQS4900TF |
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Numero di parte futuro | FT-FQS4900TF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQS4900TF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V, 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A, 300mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 650mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 20mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQS4900TF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQS4900TF-FT |
FDJ1028N
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FDJ1032C
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5SGXMA7N3F45C3
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LCMXO2-1200HC-4MG132IR1
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