casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDMC6890NZ
codice articolo del costruttore | FDMC6890NZ |
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Numero di parte futuro | FT-FDMC6890NZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMC6890NZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.92W, 1.78W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroFET 3x3mm |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC6890NZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMC6890NZ-FT |
IRF8313PBF
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IRF8513PBF
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EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
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XC4008E-3PQ208C
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XC6SLX75T-2FG484C
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LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1M120F484C6
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EP4S100G5F45I1N
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XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2LG
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EP2AGX65DF29I3
Intel