codice articolo del costruttore | FQP5N30 |
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Numero di parte futuro | FT-FQP5N30 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQP5N30 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 70W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP5N30 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQP5N30-FT |
FDP053N08B-F102
ON Semiconductor
FDP070AN06A0
ON Semiconductor
FDP075N15A
ON Semiconductor
FDP083N15A
ON Semiconductor
FDP085N10A
ON Semiconductor
FDP10AN06A0
ON Semiconductor
FDP120AN15A0
ON Semiconductor
FDP13AN06A0
ON Semiconductor
FDP14AN06LA0
ON Semiconductor
FDP150N10A
ON Semiconductor
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel