codice articolo del costruttore | FQP4N80 |
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Numero di parte futuro | FT-FQP4N80 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQP4N80 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP4N80 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQP4N80-FT |
FQPF5N50CFTU
ON Semiconductor
FQPF5N50CT
ON Semiconductor
FQPF5N50CTTU
ON Semiconductor
FQPF5N60
ON Semiconductor
FQPF5N60C_F105
ON Semiconductor
FQPF5N80
ON Semiconductor
FQPF5P10
ON Semiconductor
FQPF5P20
ON Semiconductor
FQPF6N15
ON Semiconductor
FQPF6N25
ON Semiconductor
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel